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Samsung Electronics, líder mundial en soluciones avanzadas de semiconductores acaba de anunciar la disponibilidad de las nuevas memorias OneNAND de 8 Gbits (1 Gbyte) fabricadas en 30nm que prometen un gran rendimiento. Están basadas en el diseño NAND SLC, pero en este caso dispone de una arquitectura de alta densidad que permite almacenar más cantidad de datos, consumir menos y ofrecer un rendimiento mucho mayor, hasta 70 Mbytes/s, lo que dará una nueva vida a los dispositivos electrónicos.
Sejin Kim, vicepresidente del departamento de memoria Flash de Samsung Electronics acaba de confirmar los nuevos modelos de memorias NAND 30nm para smartphones. Los chips de 8 Gbits OneNAND añadirán una gran gran rendimiento a los terminales móviles actuales. No sólo permiten cubrir la necesidad de mayor densidad de memoria en smartphones sino que harán posibles muchas más características.
Las memorias OneNAND de 8Gbits tienen la fiabilidad de un diseño SLC junto con el rendimiento de OneNAND. Es capaz de ofrecer una velocidad de lectura de hasta 70 Mbytes/s frente a los 17 Mbytes/s de las memorias NAND tradicionales. Ello junto con un diseño de bajo consumo hacen de OneNAND una solución particularmente atractiva para el mercado smartphone.
Samsung ha comentado además que el cambio en el proceso de fabricación a 30nm les permite ser más eficiente en producción, ganando un 40% de rendimiento de producción frente a la anterior gama Samsung de 40nm.
OneNAND es una solución de alto rendimiento que puede ser utilizado en aplicaciones móviles sin necesidad de desarrollar software por separado. OneNAND puede ser usado como memoria buffer no sólo para escribir en el sistema gracias a su velocidad de escritura, sino también para operaciones de lectura gracias a su interfaz NOR.
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